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N6 SiC功率模塊為1200V半橋SiC MOSFET功率模塊，模塊導(dǎo)通電阻包含2.9mΩ、2.2mΩ、1.5mΩ等，滿(mǎn)足車(chē)用系統(tǒng)高功率密度的需求。模塊為半橋電路，內(nèi)部采用多SiC芯片并聯(lián)設(shè)計(jì)，通過(guò)串聯(lián)門(mén)極電阻保證芯片均流。模塊采用低電感、高效散熱封裝設(shè)計(jì)，模塊功率回路雜散電感小于6.5nH。模塊采用環(huán)氧注塑封裝工藝，pinfin水冷散熱基板直接水冷散熱，模塊內(nèi)部采用高熱導(dǎo)率、高可靠性的AMB散熱絕緣基板。SiC芯片采用雙面銀漿燒結(jié)及銅線(xiàn)鍵合連接，優(yōu)先增加模塊使用壽命，模塊通過(guò)175℃ AQG-324可靠性認(rèn)證，可長(zhǎng)期工作在175℃結(jié)溫環(huán)境。